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HB/Z 34--82變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)說明書

  中華人民共和國第三機(jī)械工業(yè)部指導(dǎo)性技術(shù)文件

                                                        HB/Z 34--82

               變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)說明書

───────────────────────────────────

1使用范圍

1.1 本說明書適用于制造航空發(fā)動機(jī)渦**用的變形高溫合金圓餅及盤件。

1.2 本說明書所規(guī)定的檢驗(yàn)方法和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)是對變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)的一般性要求。對于不同的機(jī)種、不同的材料或工藝,可在此基礎(chǔ)上作適當(dāng)?shù)难a(bǔ)充和修改,并在有關(guān)的技術(shù)文件中作出說明。

 

2要求

2.1 與所檢驗(yàn)圓餅或盤件同制造批的解剖件,其化學(xué)成分和組織等均應(yīng)符合各該技術(shù)條件的要求。                                    __

2.2 圓餅及盤件的兩端面應(yīng)是平整的,光潔度相當(dāng)于∨6,如進(jìn)行切削加工,應(yīng)采用圓頭刀具。

2.3 將圓餅、盤件置于轉(zhuǎn)臺上按螺旋掃查方式進(jìn)行檢查。圓餅必須采用水浸法檢查,水層距離的選擇應(yīng)符合說明書HB/Z 59《航空金屬材料及零件超聲縱波探傷說明書》的要求。盤件可采用水浸法也可采用接觸法檢查。

2.4 超聲波探傷儀--探頭的性能應(yīng)符合說明書HB/Z59的要求。按本說明書進(jìn)行變形高溫合金圓餅或盤件的檢查時(shí),需用的頻率為5MHz。換能器的直徑不得大于14mm

2.5 為了按說明書HB/Z59制造供調(diào)整儀器靈敏度用的標(biāo)準(zhǔn)試塊,要求訂貨方根據(jù)*終成品盤的尺寸及加工工藝,提供圓餅及盤件上下端面加工余量的尺寸。

2.6 為便于確定圓餅的驗(yàn)收,訂貨方應(yīng)根據(jù)*終成品盤的尺寸及加工工藝提供在圓餅上輪緣區(qū)的位置。

 

3圓餅的檢驗(yàn)

    本說明書要求對每一變形高溫合金圓餅的每一端面均進(jìn)行兩次檢查。**次是縱波垂直入射檢查,**次是與圓餅端面法線成5°夾角的縱波斜入射檢查。

3.1 **次檢查---縱波垂直入射檢查

3.1.1 按說明書HB/Z594.3條的規(guī)定用供調(diào)整儀器靈敏度用的兩塊標(biāo)準(zhǔn)試塊調(diào)整儀器靈敏度,調(diào)整用的標(biāo)準(zhǔn)試塊中平底孔的直徑為0.8mm。任何一塊的孔底反射波高均應(yīng)等于或大于熒光屏飽和值的80%,在此調(diào)整情況下,儀器的動態(tài)范圍不得低于16dB。

3.1.2 使圓餅在轉(zhuǎn)臺上轉(zhuǎn)動,使波束垂直圓餅端面,沿圓餅直徑方向移動探頭進(jìn)行從一端到另一端的垂直入射檢查。掃查的線速度不得大于4m/min,掃查間距不得大于聲束有效直徑的1/3。

    注:聲束有效直徑指的是將探頭在端面上(接觸法)或在規(guī)定的水層距離處(水浸法)沿直徑方向移過供調(diào)整儀器靈敏度用的標(biāo)準(zhǔn)試塊中埋藏深度較小的平底孔時(shí),反射波高比*大反射波高低6dB的兩點(diǎn)間的距離.

3.2 **次檢查--在水中波束傾斜5°的縱波斜入射檢查。

3.2.1 使波束垂直標(biāo)準(zhǔn)試塊的端面,按本說明書第3.1.1條的規(guī)定調(diào)整儀器靈敏度。

3.2.2 使圓餅在轉(zhuǎn)臺上轉(zhuǎn)動,保持水層距離不變,使波束與圓餅端面法線成5°入射角。沿圓餅直徑方向移動探頭,進(jìn)行從一端到另一端的斜入射縱波檢查。掃查的線速度和間距與本說明書第3.1.2條的規(guī)定相同。

 

4圓餅的驗(yàn)收

    在按本說明書3.13.2條的規(guī)定檢查時(shí),符合下列各條的圓餅可以驗(yàn)收:

4.1 在輪緣部分的任何反射信號均比埋藏深度相同,直徑為3.2mm的平底孔在垂直入射時(shí)所測得的孔底反射小6dB或更多。

4.2 在其余部位有反射信號,但均小于埋藏深度相同、直徑為1.2mm平底孔在垂直入射時(shí)所測得的孔底反射波高。

4.3 反射體相互間的距離在任何方向上均不小于40mm,在每個(gè)圓餅上總數(shù)不超過6個(gè),且不是長條形的。

4.4 底面反射的波高與幾何形狀相同的正常材料相比沒有明顯的降低,底波位置也沒有前移。

 

5圓餅的拒收與處理

5.1 不符合本說明書4.1-4.3條規(guī)定的圓餅,如果訂貨方不能確保反射體在以后的加工中可以除去,則應(yīng)拒收。

5.2 應(yīng)對底波前移或有明顯降低的圓餅進(jìn)行冶金分析,而后由供需雙方進(jìn)行處理。

5.3 對供應(yīng)方確認(rèn)反射信號是由組織不均勻性造成的且在以后的加工過程中可以得到改善;以及發(fā)現(xiàn)有本說明書沒有包括的情況時(shí),應(yīng)通知訂貨方共同處理。

 

6盤件的超聲波檢驗(yàn)

6.1 由已驗(yàn)收圓餅制成的盤件可參照本說明書進(jìn)行超聲波檢驗(yàn)。

6.2 本說明書3.2條所規(guī)定的**次檢查對于盤件來說應(yīng)改為檢查底波損失情況。即使聲束垂直入射到正常組織盤的端面上,調(diào)整儀器靈敏度使一次底反射波高為熒光屏飽和值的80%,將受檢盤件放在轉(zhuǎn)臺上轉(zhuǎn)動,檢查各部位的底反射損失情況。

6.3 不允許與幾何形狀相同的正常組織盤相比有大于6dB的底波降低。

 

                    ─────────────

第三機(jī)械工業(yè)部發(fā)布                        198251日實(shí)施

三機(jī)部六二一所提出                        三機(jī)部六二一所起草

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